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    Titel:

    Stochastic continuum model of submonolayer epitaxial growth

    Beteiligte:

    Raymond, L. (Autor:in) / Verga, A. (Autor:in) / Vvedensky, D. D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 12 ; 2-5

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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