Densely packed Ge quantum dots grown on SiO2/Si substrate: Fid-Bau Portal

Densely packed Ge quantum dots grown on SiO2/Si substrate

Zhang, L. / Ye, H. / Huangfu, Y. R. / Zhang, C. / Liu, X.

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Titel:

Densely packed Ge quantum dots grown on SiO2/Si substrate

Beteiligte:

Zhang, L. (Autor:in) / Ye, H. (Autor:in) / Huangfu, Y. R. (Autor:in) / Zhang, C. (Autor:in) / Liu, X. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 256 ; 768-772

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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