Nonvolatile Memory: Majority Carrier Type Conversion with Floating Gates in Carbon Nanotube Transistors (Adv. Mater. 47/2009): Fid-Bau Portal

Nonvolatile Memory: Majority Carrier Type Conversion with Floating Gates in Carbon Nanotube Transistors (Adv. Mater. 47/2009)

Yu, W. J. / Kang, B. R. / Lee, I. H. / Min, Y. S. / Lee, Y. H.

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Titel:

Nonvolatile Memory: Majority Carrier Type Conversion with Floating Gates in Carbon Nanotube Transistors (Adv. Mater. 47/2009)

Beteiligte:

Yu, W. J. (Autor:in) / Kang, B. R. (Autor:in) / Lee, I. H. (Autor:in) / Min, Y. S. (Autor:in) / Lee, Y. H. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 21 ; NA-NA

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

NA-NA

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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