Electrical properties and deep traps spectra of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire: Fid-Bau Portal

Electrical properties and deep traps spectra of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire

Polyakov, A. Y. / Smirnov, N. B. / Govorkov, A. V. / Markov, A. V. / Sun, Q. / Zhang, Y. / Yerino, C. D. / Ko, T. S. / Lee, I. H. / Han, J.

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Polyakov, A. Y. / Smirnov, N. B. / Govorkov, A. V. / Markov, A. V. / Sun, Q. / Zhang, Y. / Yerino, C. D. / Ko, T. S. / Lee, I. H. / Han, J.

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Titel:

Electrical properties and deep traps spectra of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire

Beteiligte:

Polyakov, A. Y. (Autor:in) / Smirnov, N. B. (Autor:in) / Govorkov, A. V. (Autor:in) / Markov, A. V. (Autor:in) / Sun, Q. (Autor:in) / Zhang, Y. (Autor:in) / Yerino, C. D. (Autor:in) / Ko, T. S. (Autor:in) / Lee, I. H. (Autor:in) / Han, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B ADVANCED FUNCTIONAL SOLID STATE MATERIALS ; 166 ; 220-224

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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