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    Titel:

    Role of Gallium Doping in Dramatically Lowering Amorphous-Oxide Processing Temperatures for Solution-Derived Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors

    Beteiligte:

    Jeong, S. (Autor:in) / Ha, Y. G. (Autor:in) / Moon, J. (Autor:in) / Facchetti, A. (Autor:in) / Marks, T. J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 22 ; 1346-1350

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2010

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0935-9648

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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