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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Growth and Characterization of Large-Diameter 4H-SiC Crystals with High Crystal Quality

    Beteiligte:

    Nakabayashi, M. (Autor:in) / Fujimoto, T. (Autor:in) / Katsuno, M. (Autor:in) / Tsuge, H. (Autor:in) / Aigo, T. (Autor:in) / Satoh, S. (Autor:in) / Yashiro, H. (Autor:in) / Hoshino, T. (Autor:in) / Hirano, H. (Autor:in) / Ohashi, W. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 9-12

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2010

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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