Fundamental Band Edge Absorption in 3C-SiC: Phonon Absorption Assisted Transitions: Fid-Bau Portal

Fundamental Band Edge Absorption in 3C-SiC: Phonon Absorption Assisted Transitions

Grivickas, V. / Gulbinas, K. / Grivickas, P. / Manolis, G. / Linnros, J.

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Titel:

Fundamental Band Edge Absorption in 3C-SiC: Phonon Absorption Assisted Transitions

Beteiligte:

Grivickas, V. (Autor:in) / Gulbinas, K. (Autor:in) / Grivickas, P. (Autor:in) / Manolis, G. (Autor:in) / Linnros, J. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M. / Pensl, G. / Rupp, R.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 231-234

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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