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Electronic structure and optical gain of InAsSbN/InAs quantum dots

Chen, J. / Fan, W. J. / Xu, Q. / Zhang, X. W.

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Titel:

Electronic structure and optical gain of InAsSbN/InAs quantum dots

Beteiligte:

Chen, J. (Autor:in) / Fan, W. J. (Autor:in) / Xu, Q. (Autor:in) / Zhang, X. W. (Autor:in)

Erschienen in:

COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE ; 49 ; S10-S14

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

S10-S14

ISSN:

0927-0256

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 510

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