Ferroelectric Field Effect Transistors for Memory Applications: Fid-Bau Portal

Ferroelectric Field Effect Transistors for Memory Applications

Hoffman, J. / Pan, X. / Reiner, J. W. / Walker, F. J. / Han, J. P. / Ahn, C. H. / Ma, T. P.

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Titel:

Ferroelectric Field Effect Transistors for Memory Applications

Beteiligte:

Hoffman, J. (Autor:in) / Pan, X. (Autor:in) / Reiner, J. W. (Autor:in) / Walker, F. J. (Autor:in) / Han, J. P. (Autor:in) / Ahn, C. H. (Autor:in) / Ma, T. P. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 22 ; 2957-2961

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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