Microscopic Examination of SiO~2/4H-SiC Interfaces: Fid-Bau Portal

Microscopic Examination of SiO~2/4H-SiC Interfaces

Hatakeyama, T. / Matsuhata, H. / Suzuki, T. / Shinohe, T. / Okumura, H.

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Titel:

Microscopic Examination of SiO~2/4H-SiC Interfaces

Beteiligte:

Hatakeyama, T. (Autor:in) / Matsuhata, H. (Autor:in) / Suzuki, T. (Autor:in) / Shinohe, T. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 330-333

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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