Control of Efficiency, Brightness, and Recombination Zone in Light-Emitting Field Effect Transistors: Fid-Bau Portal

Control of Efficiency, Brightness, and Recombination Zone in Light-Emitting Field Effect Transistors

Hsu, B. B. / Duan, C. / Namdas, E. B. / Gutacker, A. / Yuen, J. D. / Huang, F. / Cao, Y. / Bazan, G. C. / Samuel, I. D. / Heeger, A. J.

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Hsu, B. B. / Duan, C. / Namdas, E. B. / Gutacker, A. / Yuen, J. D. / Huang, F. / Cao, Y. / Bazan, G. C. / Samuel, I. D. / Heeger, A. J.

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Titel:

Control of Efficiency, Brightness, and Recombination Zone in Light-Emitting Field Effect Transistors

Beteiligte:

Hsu, B. B. (Autor:in) / Duan, C. (Autor:in) / Namdas, E. B. (Autor:in) / Gutacker, A. (Autor:in) / Yuen, J. D. (Autor:in) / Huang, F. (Autor:in) / Cao, Y. (Autor:in) / Bazan, G. C. (Autor:in) / Samuel, I. D. (Autor:in) / Heeger, A. J. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 24 ; 1171-1175

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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