Low temperature epitaxial growth and characterization of Ga-doped ZnO thin films on Al2O3 (0001) substrates prepared with different buffer layers: Fid-Bau Portal

Low temperature epitaxial growth and characterization of Ga-doped ZnO thin films on Al2O3 (0001) substrates prepared with different buffer layers

Shin, S. W. / Agawane, G. L. / Kim, I. Y. / Kwon, Y. B. / Jung, I. O. / Gang, M. G. / Moholkar, A. V. / Moon, J. H. / Kim, J. H. / Lee, J. Y.

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Titel:

Low temperature epitaxial growth and characterization of Ga-doped ZnO thin films on Al2O3 (0001) substrates prepared with different buffer layers

Beteiligte:

Shin, S. W. (Autor:in) / Agawane, G. L. (Autor:in) / Kim, I. Y. (Autor:in) / Kwon, Y. B. (Autor:in) / Jung, I. O. (Autor:in) / Gang, M. G. (Autor:in) / Moholkar, A. V. (Autor:in) / Moon, J. H. (Autor:in) / Kim, J. H. (Autor:in) / Lee, J. Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 258 ; 5073-5079

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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