Atomic and electronic structures of Si[001] (130) symmetric tilt grain boundaries based on first-principles calculations: Fid-Bau Portal

Atomic and electronic structures of Si[001] (130) symmetric tilt grain boundaries based on first-principles calculations

Huang, W. L. / Ge, W. / Li, C. / Hou, C. / Wang, X. / He, X.

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Titel:

Atomic and electronic structures of Si[001] (130) symmetric tilt grain boundaries based on first-principles calculations

Beteiligte:

Huang, W. L. (Autor:in) / Ge, W. (Autor:in) / Li, C. (Autor:in) / Hou, C. (Autor:in) / Wang, X. (Autor:in) / He, X. (Autor:in)

Erschienen in:

COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE ; 58 ; 38-44

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0927-0256

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 510

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