Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Excitation Properties of Silicon Vacancy in Silicon Carbide
Gali, A. (Autor:in)
MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 255-258
01.01.2012
4 pages
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
DDC:
620.11
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