Effect of doping in n-ZrNiSn intermetallic semiconductor with Bi donor impurity on thermoelectric power factor Z^*: Fid-Bau Portal

Effect of doping in n-ZrNiSn intermetallic semiconductor with Bi donor impurity on thermoelectric power factor Z^*

Romaka, V.A. / Stadnyk, Y.V. / Rogl, P. / Romaka, V.V. / Hlil, E.K. / Lakh, O.I. / Horyn, A.M.

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Effect of doping in n-ZrNiSn intermetallic semiconductor with Bi donor impurity on thermoelectric power factor Z^*

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Titel:

Effect of doping in n-ZrNiSn intermetallic semiconductor with Bi donor impurity on thermoelectric power factor Z^*

Beteiligte:

Romaka, V.A. (Autor:in) / Stadnyk, Y.V. (Autor:in) / Rogl, P. (Autor:in) / Romaka, V.V. (Autor:in) / Hlil, E.K. (Autor:in) / Lakh, O.I. (Autor:in) / Horyn, A.M. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF THERMOELECTRICITY ; 50-57

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

1607-8829

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 537.65

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