High Performance Ambipolar Field-Effect Transistor of Random Network Carbon Nanotubes: Fid-Bau Portal

High Performance Ambipolar Field-Effect Transistor of Random Network Carbon Nanotubes

Bisri, S. Z. / Gao, J. / Derenskyi, V. / Gomulya, W. / Iezhokin, I. / Gordiichuk, P. / Herrmann, A. / Loi, M. A.

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Titel:

High Performance Ambipolar Field-Effect Transistor of Random Network Carbon Nanotubes

Beteiligte:

Bisri, S. Z. (Autor:in) / Gao, J. (Autor:in) / Derenskyi, V. (Autor:in) / Gomulya, W. (Autor:in) / Iezhokin, I. (Autor:in) / Gordiichuk, P. (Autor:in) / Herrmann, A. (Autor:in) / Loi, M. A. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 24 ; 6147-6152

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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