p-Doped SiC Growth on Diamond Substrate by VLS Transport: Fid-Bau Portal

p-Doped SiC Growth on Diamond Substrate by VLS Transport

Ha, A.V. / Carole, D. / Lazar, M. / Tournier, D. / Cauwet, F. / Souliere, V. / Planson, D. / Brylinski, C. / Ferro, G.

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Titel:

p-Doped SiC Growth on Diamond Substrate by VLS Transport

Beteiligte:

Ha, A.V. (Autor:in) / Carole, D. (Autor:in) / Lazar, M. (Autor:in) / Tournier, D. (Autor:in) / Cauwet, F. (Autor:in) / Souliere, V. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in) / Brylinski, C. (Autor:in) / Ferro, G. (Autor:in) / Lebedev, A.A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 331-334

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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