Highly Improved Uniformity in the Resistive Switching Parameters of TiO2 Thin Films by Inserting Ru Nanodots: Fid-Bau Portal

Highly Improved Uniformity in the Resistive Switching Parameters of TiO2 Thin Films by Inserting Ru Nanodots

Yoon, J. H. / Han, J. H. / Jung, J. S. / Jeon, W. / Kim, G. H. / Song, S. J. / Seok, J. Y. / Yoon, K. J. / Lee, M. H. / Hwang, C. S.

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Yoon, J. H. / Han, J. H. / Jung, J. S. / Jeon, W. / Kim, G. H. / Song, S. J. / Seok, J. Y. / Yoon, K. J. / Lee, M. H. / Hwang, C. S.

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Titel:

Highly Improved Uniformity in the Resistive Switching Parameters of TiO2 Thin Films by Inserting Ru Nanodots

Beteiligte:

Yoon, J. H. (Autor:in) / Han, J. H. (Autor:in) / Jung, J. S. (Autor:in) / Jeon, W. (Autor:in) / Kim, G. H. (Autor:in) / Song, S. J. (Autor:in) / Seok, J. Y. (Autor:in) / Yoon, K. J. (Autor:in) / Lee, M. H. (Autor:in) / Hwang, C. S. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 25 ; 1987-1992

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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