Single crystalline beta -Ga2O3 nanowires synthesized by thermal oxidation of GaSe layer: Fid-Bau Portal

Single crystalline beta -Ga2O3 nanowires synthesized by thermal oxidation of GaSe layer

Filippo, E. / Siciliano, M. / Genga, A. / Micocci, G. / Tepore, A. / Siciliano, T.

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Titel:

Single crystalline beta -Ga2O3 nanowires synthesized by thermal oxidation of GaSe layer

Beteiligte:

Filippo, E. (Autor:in) / Siciliano, M. (Autor:in) / Genga, A. (Autor:in) / Micocci, G. (Autor:in) / Tepore, A. (Autor:in) / Siciliano, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS RESEARCH BULLETIN ; 48 ; 1741-1744

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0025-5408

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11 / 620

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