Mechanisms of parasitic crystallites formation in ZrB"2(0001) buffer layer grown on Si(111): Fid-Bau Portal

Mechanisms of parasitic crystallites formation in ZrB"2(0001) buffer layer grown on Si(111)

Fleurence, A. / Zhang, W. / Hubault, C. / Yamada-Takamura, Y.

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Titel:

Mechanisms of parasitic crystallites formation in ZrB"2(0001) buffer layer grown on Si(111)

Beteiligte:

Fleurence, A. (Autor:in) / Zhang, W. (Autor:in) / Hubault, C. (Autor:in) / Yamada-Takamura, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 284 ; 432-437

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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