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    Titel:

    Metal Site Doping in the Narrow-Gap FeGa3 Semiconductor

    Beteiligte:

    Kotur, B. (Autor:in) / Babizhetskyy, V. (Autor:in) / Bauer, E. (Autor:in) / Kneidinger, F. (Autor:in) / Danner, A. (Autor:in) / Leber, L. (Autor:in) / Michor, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE C/C OF FIZIKO-KHIMICHESKAIA MEKHANIKA MATERIALOV ; 49 ; 211-219

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2013

    Format / Umfang:

    9 pages

    ISSN:

    1068-820X

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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