Effect of growth temperature and GaAs substrate misorientation on the morphology of InAsBi nanoislands grown by metalorganic vapor phase epitaxy: Fid-Bau Portal

Effect of growth temperature and GaAs substrate misorientation on the morphology of InAsBi nanoislands grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Boussaha, R. / Fitouri, H. / Rebey, A. / Jani, B. E.

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Titel:

Effect of growth temperature and GaAs substrate misorientation on the morphology of InAsBi nanoislands grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Beteiligte:

Boussaha, R. (Autor:in) / Fitouri, H. (Autor:in) / Rebey, A. (Autor:in) / Jani, B. E. (Autor:in) / Molle, A. / Dimoulas, A. / Le Lay, G. / Lemme, M.

Erschienen in:

E-MRS 2013 Spring Meeting , Symposium I: The route to post-Si CMOS devices: from high mobility channels to graphene-like 2D nanosheets ; 40-44

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 291

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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