Achieve 2-inch-diameter homogeneous GaN films on sapphire substrates by pulsed laser deposition: Fid-Bau Portal

Achieve 2-inch-diameter homogeneous GaN films on sapphire substrates by pulsed laser deposition

Wang, W. / Yang, W. / Liu, Z. / Lin, Y. / Zhou, S. / Qian, H. / Gao, F. / Wen, L. / Zhang, S. / Li, G.

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Titel:

Achieve 2-inch-diameter homogeneous GaN films on sapphire substrates by pulsed laser deposition

Beteiligte:

Wang, W. (Autor:in) / Yang, W. (Autor:in) / Liu, Z. (Autor:in) / Lin, Y. (Autor:in) / Zhou, S. (Autor:in) / Qian, H. (Autor:in) / Gao, F. (Autor:in) / Wen, L. (Autor:in) / Zhang, S. (Autor:in) / Li, G. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 49 ; 3511-3518

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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