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    Titel:

    Properties of a SiC Schottky Barrier Diode Fabricated with a Thin Substrate

    Beteiligte:

    Nakanishi, Y. (Autor:in) / Tominaga, T. (Autor:in) / Okabe, H. (Autor:in) / Suehiro, Y. (Autor:in) / Sugahara, K. (Autor:in) / Kuroiwa, T. (Autor:in) / Toyoda, Y. (Autor:in) / Yamakawa, S. (Autor:in) / Murasaki, H. (Autor:in) / Kobayashi, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 820-823

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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