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    Titel:

    Investigation of deep level defects in electron irradiated indium arsenide quantum dots embedded in a gallium arsenide matrix

    Beteiligte:

    Strong, W. H. (Autor:in) / Forbes, D. V. (Autor:in) / Hubbard, S. M. (Autor:in) / Jin, M. H.-C. / Kaneco, S.

    Erschienen in:

    Special topical issue on Materials for Green Energy and the Environment ; 76-83

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 25

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    8 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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