Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Simulation study of interface traps and bulk traps in n^+^+GaN/InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors
Simulation study of interface traps and bulk traps in n^+^+GaN/InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors
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Molnar, M. (Autor:in) / Donoval, D. (Autor:in) / Kuzmik, J. (Autor:in) / Marek, J. (Autor:in) / Chvala, A. (Autor:in) / Pribytny, P. (Autor:in) / Mikolasek, M. (Autor:in) / Rendek, K. (Autor:in) / Palankovski, V. (Autor:in)
APPLIED SURFACE SCIENCE ; 312 ; 157-161
01.01.2014
5 pages
Aufsatz (Zeitschrift)
Englisch
DDC:
621.35
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