Anomalous and Highly Efficient InAs Nanowire Phototransistors Based on Majority Carrier Transport at Room Temperature: Fid-Bau Portal

Anomalous and Highly Efficient InAs Nanowire Phototransistors Based on Majority Carrier Transport at Room Temperature

Guo, N. / Hu, W. / Liao, L. / Yip, S. / Ho, J. C. / Miao, J. / Zhang, Z. / Zou, J. / Jiang, T. / Wu, S.

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Titel:

Anomalous and Highly Efficient InAs Nanowire Phototransistors Based on Majority Carrier Transport at Room Temperature

Beteiligte:

Guo, N. (Autor:in) / Hu, W. (Autor:in) / Liao, L. (Autor:in) / Yip, S. (Autor:in) / Ho, J. C. (Autor:in) / Miao, J. (Autor:in) / Zhang, Z. (Autor:in) / Zou, J. (Autor:in) / Jiang, T. (Autor:in) / Wu, S. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 26 ; 8203-8209

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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