Significant Enhancement of Infrared Photodetector Sensitivity Using a Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotube/C60 Phototransistor: Fid-Bau Portal

Significant Enhancement of Infrared Photodetector Sensitivity Using a Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotube/C60 Phototransistor

Park, S. / Kim, S. J. / Nam, J. H. / Pitner, G. / Lee, T. H. / Ayzner, A. L. / Wang, H. / Fong, S. W. / Vosgueritchian, M. / Park, Y. J.

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Significant Enhancement of Infrared Photodetector Sensitivity Using a Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotube/C60 Phototransistor

Park, S. / Kim, S. J. / Nam, J. H. / Pitner, G. / Lee, T. H. / Ayzner, A. L. / Wang, H. / Fong, S. W. / Vosgueritchian, M. / Park, Y. J.

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Titel:

Significant Enhancement of Infrared Photodetector Sensitivity Using a Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotube/C60 Phototransistor

Beteiligte:

Park, S. (Autor:in) / Kim, S. J. (Autor:in) / Nam, J. H. (Autor:in) / Pitner, G. (Autor:in) / Lee, T. H. (Autor:in) / Ayzner, A. L. (Autor:in) / Wang, H. (Autor:in) / Fong, S. W. (Autor:in) / Vosgueritchian, M. (Autor:in) / Park, Y. J. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 27 ; 759-765

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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