A competitive lattice model Monte Carlo method for simulation competitive growth of different polytypes in close-packed crystals: 4H and 6H silicon carbide: Fid-Bau Portal

A competitive lattice model Monte Carlo method for simulation competitive growth of different polytypes in close-packed crystals: 4H and 6H silicon carbide

Guo, H. J. / Huang, W. / Liu, X. / Gao, P. / Zhuo, S. Y. / Xin, J. / Yan, C. F. / Liu, X. C. / Zheng, Y. Q. / Yang, J. H.

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Guo, H. J. / Huang, W. / Liu, X. / Gao, P. / Zhuo, S. Y. / Xin, J. / Yan, C. F. / Liu, X. C. / Zheng, Y. Q. / Yang, J. H.

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Guo, H. J. / Huang, W. / Liu, X. / Gao, P. / Zhuo, S. Y. / Xin, J. / Yan, C. F. / Liu, X. C. / Zheng, Y. Q. / Yang, J. H.

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Titel:

A competitive lattice model Monte Carlo method for simulation competitive growth of different polytypes in close-packed crystals: 4H and 6H silicon carbide

Beteiligte:

Guo, H. J. (Autor:in) / Huang, W. (Autor:in) / Liu, X. (Autor:in) / Gao, P. (Autor:in) / Zhuo, S. Y. (Autor:in) / Xin, J. (Autor:in) / Yan, C. F. (Autor:in) / Liu, X. C. (Autor:in) / Zheng, Y. Q. (Autor:in) / Yang, J. H. (Autor:in)