Bi-induced highly n-type carbon-doped InGaAsBi films grown by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Bi-induced highly n-type carbon-doped InGaAsBi films grown by molecular beam epitaxy

Zhou, S. / Ai, L. / Qi, M. / Wang, S. / Xu, A. / Guo, Q.

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Titel:

Bi-induced highly n-type carbon-doped InGaAsBi films grown by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Zhou, S. (Autor:in) / Ai, L. (Autor:in) / Qi, M. (Autor:in) / Wang, S. (Autor:in) / Xu, A. (Autor:in) / Guo, Q. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 53 ; 3537-3543

Erscheinungsdatum:

01.01.2018

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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