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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Impact of the drain and source extensions on nanoscale Double-Gate Junctionless MOSFET analog and RF performances

    Beteiligte:

    Bentrcia, T. (Autor:in) / Djeffal, F. (Autor:in) / Chebaki, E. (Autor:in) / Arar, D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 42 ; 264-267

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2016

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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