First principles study of Mg2X (X=Si, Ge, Sn, Pb): Elastic, optoelectronic and thermoelectric properties: Fid-Bau Portal

First principles study of Mg2X (X=Si, Ge, Sn, Pb): Elastic, optoelectronic and thermoelectric properties

Murtaza, G. / Sajid, A. / Rizwan, M. / Takagiwa, Y. / Khachai, H. / Jibran, M. / Khenata, R. / Omran, S. Bin

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Titel:

First principles study of Mg2X (X=Si, Ge, Sn, Pb): Elastic, optoelectronic and thermoelectric properties

Beteiligte:

Murtaza, G. (Autor:in) / Sajid, A. (Autor:in) / Rizwan, M. (Autor:in) / Takagiwa, Y. (Autor:in) / Khachai, H. (Autor:in) / Jibran, M. (Autor:in) / Khenata, R. (Autor:in) / Omran, S. Bin (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 40 ; 429-435

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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