Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Improved multi-recessed 4H–SiC MESFETs with double-recessed p-buffer layer

    Neue Suche nach: Jia, Hujun
    Neue Suche nach: Zhang, Hang
    Neue Suche nach: Luo, Yehui
    Neue Suche nach: Yang, Zhihui

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Improved multi-recessed 4H–SiC MESFETs with double-recessed p-buffer layer

    Neue Suche nach: Jia, Hujun
    Neue Suche nach: Zhang, Hang
    Neue Suche nach: Luo, Yehui
    Neue Suche nach: Yang, Zhihui

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Improved multi-recessed 4H–SiC MESFETs with double-recessed p-buffer layer

    Neue Suche nach: Jia, Hujun
    Neue Suche nach: Zhang, Hang
    Neue Suche nach: Luo, Yehui
    Neue Suche nach: Yang, Zhihui

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Improved multi-recessed 4H–SiC MESFETs with double-recessed p-buffer layer

    Beteiligte:

    Jia, Hujun (Autor:in) / Zhang, Hang (Autor:in) / Luo, Yehui (Autor:in) / Yang, Zhihui (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 40 ; 650-654

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2015

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Improved multi-recessed 4H–SiC MESFETs with double-recessed p-buffer layer

    Jia, Hujun / Zhang, Hang / Luo, Yehui et al. | British Library Online Contents | 2015

    Improved multi-recessed 4H–SiC MESFETs with double-recessed p-buffer layer

    Jia, Hujun / Zhang, Hang / Luo, Yehui et al. | British Library Online Contents | 2015

    Improved double-recessed P-buffer 4H-SiC MESFETs with partial heavy doped channel

    Jia, Hujun / Yang, Zhihui / Wu, Qiuyuan et al. | British Library Online Contents | 2016

    Passivation Effect on Channel Recessed 4H-SiC MESFETs

    Cha, H.-Y. / Thomas, C. I. / Koley, G. et al. | British Library Online Contents | 2003

    Recessed wings

    LOCKE JONATHAN | Europäisches Patentamt | 2021

    Freier Zugriff
    Nach oben