New wet etching solution molar ratio for processing T2SLs InAs/GaSb nBn MWIR infrared detectors grown on GaSb substrates: Fid-Bau Portal

New wet etching solution molar ratio for processing T2SLs InAs/GaSb nBn MWIR infrared detectors grown on GaSb substrates

Kowalewski, A. / Martyniuk, P. / Markowska, O. / Benyahia, D. / Gawron, W.

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Titel:

New wet etching solution molar ratio for processing T2SLs InAs/GaSb nBn MWIR infrared detectors grown on GaSb substrates

Beteiligte:

Kowalewski, A. (Autor:in) / Martyniuk, P. (Autor:in) / Markowska, O. (Autor:in) / Benyahia, D. (Autor:in) / Gawron, W. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 41 ; 261-264

Erscheinungsdatum:

01.01.2016

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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