Local variation in Bi crystal sites of epitaxial GaAsBi studied by photoelectron spectroscopy and first-principles calculations: Fid-Bau Portal

Local variation in Bi crystal sites of epitaxial GaAsBi studied by photoelectron spectroscopy and first-principles calculations

Laukkanen, P. / Punkkinen, M.P.J. / Lahti, A. / Puustinen, J. / Tuominen, M. / Hilska, J. / Mäkelä, J. / Dahl, J. / Yasir, M. / Kuzmin, M. / ... [mehr]

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Titel:

Local variation in Bi crystal sites of epitaxial GaAsBi studied by photoelectron spectroscopy and first-principles calculations

Beteiligte:

Laukkanen, P. (Autor:in) / Punkkinen, M.P.J. (Autor:in) / Lahti, A. (Autor:in) / Puustinen, J. (Autor:in) / Tuominen, M. (Autor:in) / Hilska, J. (Autor:in) / Mäkelä, J. (Autor:in) / Dahl, J. (Autor:in) / Yasir, M. (Autor:in) / Kuzmin, M. (Autor:in)

Erschienen in:

Applied surface science ; 396 ; 688-694

Erscheinungsdatum:

01.01.2017

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.44

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