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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Impact of thin high-k dielectrics and gate metals on RF characteristics of 3D double gate junctionless transistor

    Beteiligte:

    Baidya, Achinta (Autor:in) / Baishya, Srimanta (Autor:in) / Lenka, Trupti Ranjan (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 71 ; 413-420

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2017

    Format / Umfang:

    8 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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