Field-emission and photo-detection characteristics of laser molecular beam epitaxy grown homoepitaxial GaN nanowall networks: Fid-Bau Portal

Field-emission and photo-detection characteristics of laser molecular beam epitaxy grown homoepitaxial GaN nanowall networks

Tyagi, Prashant / Ramesh, Ch / Sharma, Alka / Husale, Sudhir / Kushvaha, S.S. / Senthil Kumar, M.

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Titel:

Field-emission and photo-detection characteristics of laser molecular beam epitaxy grown homoepitaxial GaN nanowall networks

Beteiligte:

Tyagi, Prashant (Autor:in) / Ramesh, Ch (Autor:in) / Sharma, Alka (Autor:in) / Husale, Sudhir (Autor:in) / Kushvaha, S.S. (Autor:in) / Senthil Kumar, M. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials science in semiconductor processing ; 97 ; 80-84

Erscheinungsdatum:

01.01.2019

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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