Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing

    Neue Suche nach: Huet, Karim
    Neue Suche nach: Mazzamuto, Fulvio
    Neue Suche nach: Tabata, Toshiyuki
    Neue Suche nach: Toqué-Tresonne, Ines
    Neue Suche nach: Mori, Yoshihiro

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing

    Neue Suche nach: Huet, Karim
    Neue Suche nach: Mazzamuto, Fulvio
    Neue Suche nach: Tabata, Toshiyuki
    Neue Suche nach: Toqué-Tresonne, Ines
    Neue Suche nach: Mori, Yoshihiro

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing

    Neue Suche nach: Huet, Karim
    Neue Suche nach: Mazzamuto, Fulvio
    Neue Suche nach: Tabata, Toshiyuki
    Neue Suche nach: Toqué-Tresonne, Ines
    Neue Suche nach: Mori, Yoshihiro

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing

    Beteiligte:

    Huet, Karim (Autor:in) / Mazzamuto, Fulvio (Autor:in) / Tabata, Toshiyuki (Autor:in) / Toqué-Tresonne, Ines (Autor:in) / Mori, Yoshihiro (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 62 ; 92-102

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2017

    Format / Umfang:

    11 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing

    Huet, Karim / Mazzamuto, Fulvio / Tabata, Toshiyuki et al. | British Library Online Contents | 2017

    Beryllium Doping and Thermal Annealing Effects on Thermal Properties of CVI-SiC

    Kowbel, W. / Gao, F. / Withers, J. C. et al. | British Library Online Contents | 1995

    The influence of Ti doping and annealing on Ce2Ti2O7 flash memory devices

    Kao, Chyuan Haur / Chen, Su Zhien / Luo, Yang et al. | British Library Online Contents | 2017

    The influence of Ti doping and annealing on Ce2Ti2O7 flash memory devices

    Kao, Chyuan Haur / Chen, Su Zhien / Luo, Yang et al. | British Library Online Contents | 2017

    Doping by flash lamp annealing

    Prucnal, S. / Rebohle, L. / Skorupa, W. | British Library Online Contents | 2017

    Nach oben