Anwendung der Finite-Differenzen- und der Finite-Elemente-Methode bei der Kristallzüchtung von Verbindungshalbleitern: Fid-Bau Portal

Anwendung der Finite-Differenzen- und der Finite-Elemente-Methode bei der Kristallzüchtung von Verbindungshalbleitern

Lexow, Bernd

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Titel:

Anwendung der Finite-Differenzen- und der Finite-Elemente-Methode bei der Kristallzüchtung von Verbindungshalbleitern

Beteiligte:

Lexow, Bernd (Autor:in)

Erscheinungsdatum:

1994

Format / Umfang:

II, 114 Bl

Anmerkungen:

30 cm
Ill., graph. Darst

Medientyp:

Hochschulschrift

Format:

Sprache:

Deutsch

Schlagwörter:

Halbleiter , Finite-Elemente-Methode , Kristallzüchtung , Temperaturverteilung , Finite-Differenzen-Methode

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