Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
مغناطومقاومت ناهمسانگرد در لایههای نازک La0.4Pr0.3Ca0.3MnO3
در این مقاله، مغناطومقاومت (MR) و مغناطو مقاومت ناهمسانگرد(AMR) لایههای نازک La_0.4 Pr_0.3 Ca_0.3 MnO_3 (LPCMO) مورد بررسی قرار گرفته است. لایههای نازک LPCMO با استفاده از روش لیزر تپی (PLD) بر روی زیرلایههای و لایه نشانی شدهاند. با ضخامتسنجی لایههای نازک به روش بازتاب سنجی پرتو ایکس ( XRR) ضخامت لایهها حدود 90 نانومتر براورد شد. نمونۀ LPCMO بر روی زیرلایۀ LAO به علت تنش تراکمی زیاد دمای گذار عایق- فلز پایینتری نسبت به نمونۀ لایه نشانی شده بر روی MGO دارد. همچنین مقدار MR در لایههای LPCMO/LAO و LPCMO/MGO به ترتیب 57 و 98 درصد به دست آمد. مقدار AMR بیشینه، در لایۀ LPCMO/MGO (80 درصد) نسبت به نمونۀ LPCMO/LAO (32 درصد) افزایش قابل ملاحظهای دارد که به لحاظ پتانسیل کاربردی اهمیت زیادی دارد.
مغناطومقاومت ناهمسانگرد در لایههای نازک La0.4Pr0.3Ca0.3MnO3
در این مقاله، مغناطومقاومت (MR) و مغناطو مقاومت ناهمسانگرد(AMR) لایههای نازک La_0.4 Pr_0.3 Ca_0.3 MnO_3 (LPCMO) مورد بررسی قرار گرفته است. لایههای نازک LPCMO با استفاده از روش لیزر تپی (PLD) بر روی زیرلایههای و لایه نشانی شدهاند. با ضخامتسنجی لایههای نازک به روش بازتاب سنجی پرتو ایکس ( XRR) ضخامت لایهها حدود 90 نانومتر براورد شد. نمونۀ LPCMO بر روی زیرلایۀ LAO به علت تنش تراکمی زیاد دمای گذار عایق- فلز پایینتری نسبت به نمونۀ لایه نشانی شده بر روی MGO دارد. همچنین مقدار MR در لایههای LPCMO/LAO و LPCMO/MGO به ترتیب 57 و 98 درصد به دست آمد. مقدار AMR بیشینه، در لایۀ LPCMO/MGO (80 درصد) نسبت به نمونۀ LPCMO/LAO (32 درصد) افزایش قابل ملاحظهای دارد که به لحاظ پتانسیل کاربردی اهمیت زیادی دارد.
مغناطومقاومت ناهمسانگرد در لایههای نازک La0.4Pr0.3Ca0.3MnO3
زهرا شاهزمانی (Autor:in) / پرویز کاملی (Autor:in)
2024
Aufsatz (Zeitschrift)
Elektronische Ressource
Unbekannt
Metadata by DOAJ is licensed under CC BY-SA 1.0
بهبود حسگر گاز سولفید هیدروژن (H2S) بر پایۀ لایههای نازک نیمههادی اکسید فلز (NiO)
DOAJ | 2023
|حسگرهای زیستی فیبر نوری پلاسمونی با لایههای نازک باریوم تیتانات و دی اکسید تیتانیوم
DOAJ | 2022
|ساخت لایههای نازک اپتیکی اکسید روی و فسفر و مقایسۀ اثر آنها بر بازده سلول خورشیدی سیلیکونی
DOAJ | 2024