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Elektrostatische Haltevorrichtung und Herstellungsverfahren für eine elektrostatische Haltevorrichtunq
Elektrostatische Haltevorrichtung, welche so angepasst ist, dass sie die Johnsen-Rahbek-Kraft einsetzt, und welche umfasst: einen Grundkörper; eine auf dem Grundkörper ausgebildete Elektrode; und eine auf der Elektrode ausgebildete dielektrische Schicht bestehend aus einem gesinterten Yttriumoxidkörper, der Siliciumcarbid in einer Menge im Bereich von 10 bis 30 Vol.-% enthält und einen Volumenwiderstand bei Raumtemperatur im Bereich von 1 × 108 bis 1 × 1013 Ω·cm aufweist.
Elektrostatische Haltevorrichtung und Herstellungsverfahren für eine elektrostatische Haltevorrichtunq
Elektrostatische Haltevorrichtung, welche so angepasst ist, dass sie die Johnsen-Rahbek-Kraft einsetzt, und welche umfasst: einen Grundkörper; eine auf dem Grundkörper ausgebildete Elektrode; und eine auf der Elektrode ausgebildete dielektrische Schicht bestehend aus einem gesinterten Yttriumoxidkörper, der Siliciumcarbid in einer Menge im Bereich von 10 bis 30 Vol.-% enthält und einen Volumenwiderstand bei Raumtemperatur im Bereich von 1 × 108 bis 1 × 1013 Ω·cm aufweist.
Elektrostatische Haltevorrichtung und Herstellungsverfahren für eine elektrostatische Haltevorrichtunq
AIHARA YASUFUMI (Autor:in) / MATSUDA HIROTO (Autor:in)
17.11.2016
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
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