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Herstellung dichter Siliziumcarbid-Sinterkörper mit gezielt einstellbarem elektrischem Widerstand und so erhältliche Siliciumcarbid-Sinterkörper
Verfahren zur Herstellung eines keramischen Sinterkörpers mit gezielt eingestelltem elektrischem Gleichstromwiderstand bei 25 °C im Bereich von 102bis 108Ω · cm auf Basis von Siliziumcarbid, umfassend das Sintern eines Pulverformkörpers, enthaltenda) mindestens 88 Gew.-% Siliziumcarbid,b) mindestens ein borhaltiges Additiv, in einer Menge von 0,1 bis 1,5 Gew.-%, berechnet als Bor,c) Kohlenstoff und/oder mindestens ein Kohlenstoffquellenmaterial, das beim Sinterprozess freien Kohlenstoff liefert, in einer Menge, die 0,5 bis 3 Gew.-% Kohlenstoff entspricht,d) zur Einstellung des gewünschten elektrischen Gleichstromwiderstands mindestens ein stickstoffhaltiges Additiv, nämlich Si3N4, in einer Menge von 0,01 bis 2,3 Gew.-%, berechnet als Stickstoff,e) und mindestens ein aluminiumhaltiges Additiv in einer Menge von 0,01 bis 2,0 Gew.-%, berechnet als Aluminium, wobei sämtliche Mengenangaben auf die Summe der Bestandteile des Pulverformkörpers bezogen sind, und wobei das Sintern in einer Inertgasatmosphäre bei einem Druck von 1 bis 100 mbar durchgeführt wird.
The process comprises sintering a powder body in an inert gas atmosphere at a pressure of 1-100 mbar and at a temperature of 2000-2200[deg] C, and performing a gas pressure sintering or a sintering-hot-isostatic press in a nitrogen-containing atmosphere. The powder body: comprises silicon carbide (88 wt.%), a boron-containing additive such as boron carbide in which boron is present in an amount of 0.1-1.5 wt.%, carbon (0.5-3 wt.%) and/or a carbon source material that supplies free carbon in the sintering process, and a nitrogen-containing additive. The process comprises sintering a powder body in an inert gas atmosphere at a pressure of 1-100 mbar and at a temperature of 2000-2200[deg] C, and performing a gas pressure sintering or a sintering-hot-isostatic press in a nitrogen-containing atmosphere. The powder body: comprises silicon carbide (88 wt.%), a boron-containing additive such as boron carbide in which boron is present in an amount of 0.1-1.5 wt.%, carbon (0.5-3 wt.%) and/or a carbon source material that supplies free carbon in the sintering process, a nitrogen-containing additive in which nitrogen is present in an amount of 0.01-2.3 wt.%, an aluminum-containing additive in which aluminum is present in an amount of 0.01-2 wt.%, and a temporary process auxiliary material; and is prepared by mixing starting materials together in an aqueous solution and drying to form a shaped body. The aluminum-containing additive is included in the powder body only when the powder body contains the nitrogen-containing additive. An independent claim is included for a silicon carbide based ceramic sintered body.
Herstellung dichter Siliziumcarbid-Sinterkörper mit gezielt einstellbarem elektrischem Widerstand und so erhältliche Siliciumcarbid-Sinterkörper
Verfahren zur Herstellung eines keramischen Sinterkörpers mit gezielt eingestelltem elektrischem Gleichstromwiderstand bei 25 °C im Bereich von 102bis 108Ω · cm auf Basis von Siliziumcarbid, umfassend das Sintern eines Pulverformkörpers, enthaltenda) mindestens 88 Gew.-% Siliziumcarbid,b) mindestens ein borhaltiges Additiv, in einer Menge von 0,1 bis 1,5 Gew.-%, berechnet als Bor,c) Kohlenstoff und/oder mindestens ein Kohlenstoffquellenmaterial, das beim Sinterprozess freien Kohlenstoff liefert, in einer Menge, die 0,5 bis 3 Gew.-% Kohlenstoff entspricht,d) zur Einstellung des gewünschten elektrischen Gleichstromwiderstands mindestens ein stickstoffhaltiges Additiv, nämlich Si3N4, in einer Menge von 0,01 bis 2,3 Gew.-%, berechnet als Stickstoff,e) und mindestens ein aluminiumhaltiges Additiv in einer Menge von 0,01 bis 2,0 Gew.-%, berechnet als Aluminium, wobei sämtliche Mengenangaben auf die Summe der Bestandteile des Pulverformkörpers bezogen sind, und wobei das Sintern in einer Inertgasatmosphäre bei einem Druck von 1 bis 100 mbar durchgeführt wird.
The process comprises sintering a powder body in an inert gas atmosphere at a pressure of 1-100 mbar and at a temperature of 2000-2200[deg] C, and performing a gas pressure sintering or a sintering-hot-isostatic press in a nitrogen-containing atmosphere. The powder body: comprises silicon carbide (88 wt.%), a boron-containing additive such as boron carbide in which boron is present in an amount of 0.1-1.5 wt.%, carbon (0.5-3 wt.%) and/or a carbon source material that supplies free carbon in the sintering process, and a nitrogen-containing additive. The process comprises sintering a powder body in an inert gas atmosphere at a pressure of 1-100 mbar and at a temperature of 2000-2200[deg] C, and performing a gas pressure sintering or a sintering-hot-isostatic press in a nitrogen-containing atmosphere. The powder body: comprises silicon carbide (88 wt.%), a boron-containing additive such as boron carbide in which boron is present in an amount of 0.1-1.5 wt.%, carbon (0.5-3 wt.%) and/or a carbon source material that supplies free carbon in the sintering process, a nitrogen-containing additive in which nitrogen is present in an amount of 0.01-2.3 wt.%, an aluminum-containing additive in which aluminum is present in an amount of 0.01-2 wt.%, and a temporary process auxiliary material; and is prepared by mixing starting materials together in an aqueous solution and drying to form a shaped body. The aluminum-containing additive is included in the powder body only when the powder body contains the nitrogen-containing additive. An independent claim is included for a silicon carbide based ceramic sintered body.
Herstellung dichter Siliziumcarbid-Sinterkörper mit gezielt einstellbarem elektrischem Widerstand und so erhältliche Siliciumcarbid-Sinterkörper
WÖTTING GERHARD DR (Autor:in) / MARTIN WALTER (Autor:in)
18.07.2024
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
SINTERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SINTERKÖRPERS
Europäisches Patentamt | 2024
SINTERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SINTERKÖRPERS
Europäisches Patentamt | 2024
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