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Verfahren zur Herstellung von Substraten für Leistungshalbleiterbauelemente
Verfahren zur Herstellung von metallisierten Metall-Keramik-Substraten als Schaltungsträger, insbesondere für Leistungshalbleiter-Bauelemente oder Leistungshalbleiter-Module mit folgenden Verfahrensschritten: Aufbringen einer Aluminium-Magnesium-Schicht (2) oder einer Aluminium-Silizium-Schicht (2) auf eine Kupfer-Platte oder Kupfer-Folie (1), Auflegen der Kupfer-Platte oder -folie mit der beschichteten Seite auf ein Keramiksubstrat (3), Erhitzen des Keramiksubstrats mit der aufliegenden Kupfer-Platte oder -folie auf eine Prozesstemperatur, so dass sich die Kupfer-Platte oder -folie mit dem Keramiksubstrat stoffschlüssig verbindet, und Abkühlen des Verbundes von Keramiksubstrat und Kupfer-Platte oder -folie auf Raumtemperatur, wobei die Kupfer-Platte oder -folie zur Ausbildung der Leiterbahnen für den Schaltungsträger vor dem Auflegen auf das Keramik-Substrat strukturiert wird oder im Verbund mit dem Keramik-Substrat strukturiert wird.
The invention relates to a process for producing metallized metal-ceramic substrates as circuit carriers, especially for high-performance semiconductor components or high-performance semiconductor modules. In the process of the invention, an aluminum-magnesium layer 2 or aluminum-silicon layer 2 is applied to a copper sheet or film 1, with a cohesive bonding of the coated copper sheet or film to a ceramic substrate 3 by means of a process temperature well below the process temperature of the known DCB (direct copper bonding) process. Because of the relatively low process temperature, the mechanical stresses resulting from the different thermal coefficients of the mutually bonded materials 1, 2, 3 are lower than in the case of the composite of a ceramic substrate and an oxidized copper sheet or film according to the DCB process. Secondly, the metal-ceramic substrate produced by the process of the invention has improved electrical properties compared to the known composite of ceramic substrate and aluminum sheet or film which has been coated with an aluminum-silicon layer.
Verfahren zur Herstellung von Substraten für Leistungshalbleiterbauelemente
Verfahren zur Herstellung von metallisierten Metall-Keramik-Substraten als Schaltungsträger, insbesondere für Leistungshalbleiter-Bauelemente oder Leistungshalbleiter-Module mit folgenden Verfahrensschritten: Aufbringen einer Aluminium-Magnesium-Schicht (2) oder einer Aluminium-Silizium-Schicht (2) auf eine Kupfer-Platte oder Kupfer-Folie (1), Auflegen der Kupfer-Platte oder -folie mit der beschichteten Seite auf ein Keramiksubstrat (3), Erhitzen des Keramiksubstrats mit der aufliegenden Kupfer-Platte oder -folie auf eine Prozesstemperatur, so dass sich die Kupfer-Platte oder -folie mit dem Keramiksubstrat stoffschlüssig verbindet, und Abkühlen des Verbundes von Keramiksubstrat und Kupfer-Platte oder -folie auf Raumtemperatur, wobei die Kupfer-Platte oder -folie zur Ausbildung der Leiterbahnen für den Schaltungsträger vor dem Auflegen auf das Keramik-Substrat strukturiert wird oder im Verbund mit dem Keramik-Substrat strukturiert wird.
The invention relates to a process for producing metallized metal-ceramic substrates as circuit carriers, especially for high-performance semiconductor components or high-performance semiconductor modules. In the process of the invention, an aluminum-magnesium layer 2 or aluminum-silicon layer 2 is applied to a copper sheet or film 1, with a cohesive bonding of the coated copper sheet or film to a ceramic substrate 3 by means of a process temperature well below the process temperature of the known DCB (direct copper bonding) process. Because of the relatively low process temperature, the mechanical stresses resulting from the different thermal coefficients of the mutually bonded materials 1, 2, 3 are lower than in the case of the composite of a ceramic substrate and an oxidized copper sheet or film according to the DCB process. Secondly, the metal-ceramic substrate produced by the process of the invention has improved electrical properties compared to the known composite of ceramic substrate and aluminum sheet or film which has been coated with an aluminum-silicon layer.
Verfahren zur Herstellung von Substraten für Leistungshalbleiterbauelemente
ZSCHIESCHANG OLAF (Autor:in) / KNOLL HEIKO (Autor:in)
29.12.2016
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SUBSTRATEN FÜR HALBLEITERBAUELEMENTE
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