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Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen, amorphes Siliciumcarbid und Silicium enthaltenden Gemisches
Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Gemisches, welches amorphes Siliciumcarbid und Silicium enthält, bei dem man in einem Heißwandreaktor einen Gasstrom enthaltend wenigstens eine Ausgangsverbindung, welche aus Si, C und H besteht bei einer Temperatur von 950 - 1200°C zur Reaktion bringt, das Reaktionsgemisch abkühlt oder abkühlen lässt und das pulverförmige Gemisch von gasförmigen Stoffen abtrennt.
Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen, amorphes Siliciumcarbid und Silicium enthaltenden Gemisches
Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Gemisches, welches amorphes Siliciumcarbid und Silicium enthält, bei dem man in einem Heißwandreaktor einen Gasstrom enthaltend wenigstens eine Ausgangsverbindung, welche aus Si, C und H besteht bei einer Temperatur von 950 - 1200°C zur Reaktion bringt, das Reaktionsgemisch abkühlt oder abkühlen lässt und das pulverförmige Gemisch von gasförmigen Stoffen abtrennt.
Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen, amorphes Siliciumcarbid und Silicium enthaltenden Gemisches
LYUBINA JULIA (Autor:in) / ZHANG JINHONG (Autor:in)
06.12.2018
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
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