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Verfahren zur Silizium-Dotierung von Borkarbid-Partikeln
Ein alternatives, einfaches Verfahren zur Silizium-Dotierung von Borkarbid-Partikeln weist folgende Schritte auf:a) Silanisierung der zu dotierenden Borkarbid-Partikel in einem Wirbelschichtverfahren unter Erhalt von Borkarbid-Partikeln mit einer Silizium-Beschichtung,b) Hitzebehandlung der Borkarbid-Partikel mit der Silizium-Beschichtung bei einer Temperatur von höher als 1000 °C in einem Ofen ohne Sauerstoff- sowie Kohlenstoffzutritt, wobei Silizium der Silizium-Beschichtung in die Borkarbid-Partikel eindiffundieren,c) Entfernung der verbliebenen Silizium-Beschichtung von den Borkarbid-Partikeln.Die erhaltenen, dotierten Borkarbid-Partikel eignen sich besonders gut zur Herstellung von Keramikpanzerungen.
Verfahren zur Silizium-Dotierung von Borkarbid-Partikeln
Ein alternatives, einfaches Verfahren zur Silizium-Dotierung von Borkarbid-Partikeln weist folgende Schritte auf:a) Silanisierung der zu dotierenden Borkarbid-Partikel in einem Wirbelschichtverfahren unter Erhalt von Borkarbid-Partikeln mit einer Silizium-Beschichtung,b) Hitzebehandlung der Borkarbid-Partikel mit der Silizium-Beschichtung bei einer Temperatur von höher als 1000 °C in einem Ofen ohne Sauerstoff- sowie Kohlenstoffzutritt, wobei Silizium der Silizium-Beschichtung in die Borkarbid-Partikel eindiffundieren,c) Entfernung der verbliebenen Silizium-Beschichtung von den Borkarbid-Partikeln.Die erhaltenen, dotierten Borkarbid-Partikel eignen sich besonders gut zur Herstellung von Keramikpanzerungen.
Verfahren zur Silizium-Dotierung von Borkarbid-Partikeln
SCHUCH MICHAEL (Autor:in)
13.01.2022
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
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