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Poröser Siliziumkarbidkörper, Wabenstruktur, elektrisch beheizter Katalysator und Verfahren zum Herstellen eines porösen Siliziumkarbidkörpers
Ein poröser Siliziumkarbidkörper enthält β-SiC-Teilchen, Si-Teilchen und Metallsilizid-Teilchen. Der maximale Teilchendurchmesser der β-SiC-Teilchen ist nicht kleiner als 15 µm. Der Gehalt der Si-Teilchen ist nicht geringer als 10 Massenprozent. Der maximale Teilchendurchmesser der Si-Teilchen ist nicht größer als 40 µm. Ferner ist auf den Oberflächen der Si-Teilchen ein Oxidschichtfilm mit einer Dicke von nicht weniger als 0,01 µm und nicht mehr als 5 µm vorgesehen. Dadurch ist es möglich, einen porösen Siliziumkarbidkörper mit hoher Oxidationsbeständigkeit bereitzustellen (mit anderen Worten ist bei diesem die Widerstandsänderungsrate nach Einwirkung einer Hochtemperatur-Oxidationsatmosphäre gering).
A silicon carbide porous body contains β-SiC particles, Si particles, and metal silicide particles. The maximum particle diameter of the β-SIC particles is not smaller than 15 μm. The content of the Si particles is not lower than 10 mass %. The maximum particle diameter of the Si particles is not larger than 40 μm. Further, an oxide coating film having a thickness not smaller than 0.01 μm and not larger than 5 μm is provided on surfaces of the Si particles.
Poröser Siliziumkarbidkörper, Wabenstruktur, elektrisch beheizter Katalysator und Verfahren zum Herstellen eines porösen Siliziumkarbidkörpers
Ein poröser Siliziumkarbidkörper enthält β-SiC-Teilchen, Si-Teilchen und Metallsilizid-Teilchen. Der maximale Teilchendurchmesser der β-SiC-Teilchen ist nicht kleiner als 15 µm. Der Gehalt der Si-Teilchen ist nicht geringer als 10 Massenprozent. Der maximale Teilchendurchmesser der Si-Teilchen ist nicht größer als 40 µm. Ferner ist auf den Oberflächen der Si-Teilchen ein Oxidschichtfilm mit einer Dicke von nicht weniger als 0,01 µm und nicht mehr als 5 µm vorgesehen. Dadurch ist es möglich, einen porösen Siliziumkarbidkörper mit hoher Oxidationsbeständigkeit bereitzustellen (mit anderen Worten ist bei diesem die Widerstandsänderungsrate nach Einwirkung einer Hochtemperatur-Oxidationsatmosphäre gering).
A silicon carbide porous body contains β-SiC particles, Si particles, and metal silicide particles. The maximum particle diameter of the β-SIC particles is not smaller than 15 μm. The content of the Si particles is not lower than 10 mass %. The maximum particle diameter of the Si particles is not larger than 40 μm. Further, an oxide coating film having a thickness not smaller than 0.01 μm and not larger than 5 μm is provided on surfaces of the Si particles.
Poröser Siliziumkarbidkörper, Wabenstruktur, elektrisch beheizter Katalysator und Verfahren zum Herstellen eines porösen Siliziumkarbidkörpers
SUZUKI SHINJI (Autor:in) / ATSUJI KYOHEI (Autor:in) / TOMITA TAKAHIRO (Autor:in)
29.09.2022
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
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