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PTC-HALBLEITERKERAMIKZUSAMMENSETZUNG, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER HALBLEITERKERAMIK SOWIE HEIZVORRICHTUNG UND VERWENDUNG
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterkeramikzusammensetzung, wobei die Halbleiterkeramikzusammensetzung eine BaTiOs-basierte Verbindung gemäß der folgenden Formel als Hauptkomponente aufweist [BabCacSrsPbpRx][TitAaMnm]O3+z ,wobei R mindestens ein Element ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb darstelltund wobei A mindestens ein Element ausgewählt aus der Gruppe V, Nb und Ta darstellt und wobei die Variablen b, c, s, p, x, t, a, m und z wie folgt definiert sind: b=1−c−s−p−x0<0,510,490
<1,0115750,9889
A semiconductor ceramic composition may include, as a main component, a BaTiO3-based compound according to the formula [BabCacSrsPbpRx][TitAaMnm]O3+z. R may represent at least one element selected from a group consisting of Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, and Yb. A may represent at least one element selected from a group consisting of V, Nb, and Ta. The variables b, c, s, p, x, t, a, m, and z may be defined as: b=1−c−s−p−x; 0<0.51; 0.490
<(t+a+m)<1.011575; 0.9889
PTC-HALBLEITERKERAMIKZUSAMMENSETZUNG, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER HALBLEITERKERAMIK SOWIE HEIZVORRICHTUNG UND VERWENDUNG
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterkeramikzusammensetzung, wobei die Halbleiterkeramikzusammensetzung eine BaTiOs-basierte Verbindung gemäß der folgenden Formel als Hauptkomponente aufweist [BabCacSrsPbpRx][TitAaMnm]O3+z ,wobei R mindestens ein Element ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb darstelltund wobei A mindestens ein Element ausgewählt aus der Gruppe V, Nb und Ta darstellt und wobei die Variablen b, c, s, p, x, t, a, m und z wie folgt definiert sind: b=1−c−s−p−x0<0,510,490
<1,0115750,9889
A semiconductor ceramic composition may include, as a main component, a BaTiO3-based compound according to the formula [BabCacSrsPbpRx][TitAaMnm]O3+z. R may represent at least one element selected from a group consisting of Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, and Yb. A may represent at least one element selected from a group consisting of V, Nb, and Ta. The variables b, c, s, p, x, t, a, m, and z may be defined as: b=1−c−s−p−x; 0<0.51; 0.490
<(t+a+m)<1.011575; 0.9889
PTC-HALBLEITERKERAMIKZUSAMMENSETZUNG, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER HALBLEITERKERAMIK SOWIE HEIZVORRICHTUNG UND VERWENDUNG
PTC SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING THE SEMICONDUCTOR CERAMIC, AND HEATING DEVICE AND USE THEREOF
COMPOSITION DE CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE CTP, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LA CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE AINSI QUE DISPOSITIF DE CHAUFFAGE ET UTILISATION
ANGERMANN HANS-HEINRICH (Autor:in) / WINTRICH KLAUS (Autor:in) / SEIFERT TORBEN (Autor:in)
15.01.2025
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
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