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Elemento de contacto de silicio fundido y proceso para producir el mismo, y proceso para producir silicio cristalino
Un elemento de contacto de silicio fundido que tiene una capa de cuerpo poroso sinterizado presente en una superficie del mismo, donde la capa de cuerpo poroso sinterizado comprende un cuerpo sinterizado que se puede obtener mediante: moldeo de una mezcla para formar un producto moldeado, mezcla que contiene partículas orgánicas que comprenden una resina que se puede descomponer térmicamente y que tiene un diámetro promedio de partícula de 1 a 25 μm, y un polvo sinterizable que esencialmente consiste en nitruro de silicio; calcinar el producto moldeado hasta que las partículas orgánicas desaparecen; y sinterizar adicionalmente el polvo sinterizable; donde la capa de cuerpo poroso sinterizado tiene, formada sobre el mismo, poros derivados de las formas de las partículas orgánicas, teniendo los poros un diámetro circular equivalentes promedio de 1 a 25 μm estando presentes de forma dispersa en una superficie de la capa de cuerpo poroso sinterizado en una relación de área ocupada por poros de 30 a 80 %; donde la capa de cuerpo poroso sinterizado se forma sobre un sustrato.
Provided are a silicon melt contact member which is markedly improved in liquid repellency to a silicon melt, which can retain the liquid repellency permanently, and which is suitable for production of crystalline silicon; and a process for efficient production of crystalline silicon, particularly, spherical crystalline silicon having high crystallinity, by use of the silicon melt contact member. A silicon melt contact member having a porous sintered body layer present on its surface, preferably the sintered body layer being present on a substrate of a ceramic material such as aluminum nitride, wherein the porous sintered body layer consists essentially of silicon nitride, has a thickness of 10 to 500 µm, and has, dispersed therein, many pores preferably having an average equivalent circle diameter of 1 to 25 µm at a pore-occupying area ratio of 30 to 80%, the pores connecting to each other to form communicating holes having a depth of 5 µm or more.
Elemento de contacto de silicio fundido y proceso para producir el mismo, y proceso para producir silicio cristalino
Un elemento de contacto de silicio fundido que tiene una capa de cuerpo poroso sinterizado presente en una superficie del mismo, donde la capa de cuerpo poroso sinterizado comprende un cuerpo sinterizado que se puede obtener mediante: moldeo de una mezcla para formar un producto moldeado, mezcla que contiene partículas orgánicas que comprenden una resina que se puede descomponer térmicamente y que tiene un diámetro promedio de partícula de 1 a 25 μm, y un polvo sinterizable que esencialmente consiste en nitruro de silicio; calcinar el producto moldeado hasta que las partículas orgánicas desaparecen; y sinterizar adicionalmente el polvo sinterizable; donde la capa de cuerpo poroso sinterizado tiene, formada sobre el mismo, poros derivados de las formas de las partículas orgánicas, teniendo los poros un diámetro circular equivalentes promedio de 1 a 25 μm estando presentes de forma dispersa en una superficie de la capa de cuerpo poroso sinterizado en una relación de área ocupada por poros de 30 a 80 %; donde la capa de cuerpo poroso sinterizado se forma sobre un sustrato.
Provided are a silicon melt contact member which is markedly improved in liquid repellency to a silicon melt, which can retain the liquid repellency permanently, and which is suitable for production of crystalline silicon; and a process for efficient production of crystalline silicon, particularly, spherical crystalline silicon having high crystallinity, by use of the silicon melt contact member. A silicon melt contact member having a porous sintered body layer present on its surface, preferably the sintered body layer being present on a substrate of a ceramic material such as aluminum nitride, wherein the porous sintered body layer consists essentially of silicon nitride, has a thickness of 10 to 500 µm, and has, dispersed therein, many pores preferably having an average equivalent circle diameter of 1 to 25 µm at a pore-occupying area ratio of 30 to 80%, the pores connecting to each other to form communicating holes having a depth of 5 µm or more.
Elemento de contacto de silicio fundido y proceso para producir el mismo, y proceso para producir silicio cristalino
KOMATSU RYUICHI (Autor:in) / ITOH HIRONORI (Autor:in) / AZUMA MASANOBU (Autor:in)
10.02.2017
Patent
Elektronische Ressource
Spanisch
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