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Procedimiento para la fabricación de un sustrato de nitruro de aluminio
Procedimiento para la fabricación de un sustrato de nitruro de aluminio AIN para su utilización como soporte para componentes electrónicos en aplicaciones de baja tensión, caracterizado porque comprende las etapas sucesivas siguientes: a) disolución de un precursor de óxido en forma de un compuesto organometálico en un solvente orgánico para obtener una solución, b) dispersión de un polvo fino y puro de AIN en la solución obtenida anteriormente por agitación vigorosa para obtener una suspensión, c) atomización bajo atmósfera inerte de la suspensión obtenida de este modo para obtener un polvo granulado que presenta granos de AIN recubiertos por una capa del precursor de óxido, d) proyección, a alta temperatura y alta velocidad, del polvo que presenta granos de AIN recubiertos por una capa del precursor de óxido sobre un elemento soporte, utilizando una antorcha de plasma y un soporte metálico, y porque el precursor de óxido se selecciona de entre los precursores óxidos que proporcionan un óxido que forma una fase líquida alrededor de los granos de AIN, a lo largo de la proyección, el precursor de óxido se selecciona de entre los precursores de óxido de itrio, de cerio, de samario, de calcio o de los lantánidos.
Production of an aluminum nitride (AlN) substrate comprises spraying a powder at high temperature and high speed onto a support. The powder comprises AlN particles coated with an oxide precursor giving an oxide that forms a liquid phase around the AlN particles during spraying.
Procedimiento para la fabricación de un sustrato de nitruro de aluminio
Procedimiento para la fabricación de un sustrato de nitruro de aluminio AIN para su utilización como soporte para componentes electrónicos en aplicaciones de baja tensión, caracterizado porque comprende las etapas sucesivas siguientes: a) disolución de un precursor de óxido en forma de un compuesto organometálico en un solvente orgánico para obtener una solución, b) dispersión de un polvo fino y puro de AIN en la solución obtenida anteriormente por agitación vigorosa para obtener una suspensión, c) atomización bajo atmósfera inerte de la suspensión obtenida de este modo para obtener un polvo granulado que presenta granos de AIN recubiertos por una capa del precursor de óxido, d) proyección, a alta temperatura y alta velocidad, del polvo que presenta granos de AIN recubiertos por una capa del precursor de óxido sobre un elemento soporte, utilizando una antorcha de plasma y un soporte metálico, y porque el precursor de óxido se selecciona de entre los precursores óxidos que proporcionan un óxido que forma una fase líquida alrededor de los granos de AIN, a lo largo de la proyección, el precursor de óxido se selecciona de entre los precursores de óxido de itrio, de cerio, de samario, de calcio o de los lantánidos.
Production of an aluminum nitride (AlN) substrate comprises spraying a powder at high temperature and high speed onto a support. The powder comprises AlN particles coated with an oxide precursor giving an oxide that forms a liquid phase around the AlN particles during spraying.
Procedimiento para la fabricación de un sustrato de nitruro de aluminio
PETITBON M ALAIN (Autor:in) / FERRATO M MARC (Autor:in) / JARRIGE JEAN (Autor:in)
05.12.2019
Patent
Elektronische Ressource
Spanisch
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