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OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide sintered body which can achieve a low carrier density and a high carrier mobility when the oxide sintered body is made into an oxide semiconductor thin film by sputtering, and a sputtering target using the oxide sintered body.SOLUTION: The oxide sintered body comprises indium, gallium, and zinc as oxides. The content of gallium is 0.20 or more and 0.49 or less in terms of an atomic ratio Ga/(In+Ga) and the content of zinc is 0.0001 or more and less than 0.08 in terms of an atomic ratio Zn/(In+Ga+Zn). A crystalline oxide semiconductor thin film obtained by using the above oxide sintered body as a sputtering target has a carrier density of 4.0×10cmor less and a carrier mobility of 10 cm/(V s) or more.SELECTED DRAWING: None
【課題】スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。【解決手段】この酸化物焼結体は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を酸化物として含有する。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．２０以上０．４９以下であり亜鉛の含有量がＺｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）原子数比で０．０００１以上０．０８未満である。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した結晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度４．０?１０１８ｃｍ−３以下で、キャリア移動度１０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上が得られる。【選択図】なし
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide sintered body which can achieve a low carrier density and a high carrier mobility when the oxide sintered body is made into an oxide semiconductor thin film by sputtering, and a sputtering target using the oxide sintered body.SOLUTION: The oxide sintered body comprises indium, gallium, and zinc as oxides. The content of gallium is 0.20 or more and 0.49 or less in terms of an atomic ratio Ga/(In+Ga) and the content of zinc is 0.0001 or more and less than 0.08 in terms of an atomic ratio Zn/(In+Ga+Zn). A crystalline oxide semiconductor thin film obtained by using the above oxide sintered body as a sputtering target has a carrier density of 4.0×10cmor less and a carrier mobility of 10 cm/(V s) or more.SELECTED DRAWING: None
【課題】スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。【解決手段】この酸化物焼結体は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を酸化物として含有する。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．２０以上０．４９以下であり亜鉛の含有量がＺｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）原子数比で０．０００１以上０．０８未満である。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した結晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度４．０?１０１８ｃｍ−３以下で、キャリア移動度１０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上が得られる。【選択図】なし
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET
酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
NAKAYAMA NORIYUKI (Autor:in) / NISHIMURA EIICHIRO (Autor:in) / MATSUMURA FUMIHIKO (Autor:in) / IWARA MASASHI (Autor:in)
17.03.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
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